苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的实测NAND类型，最低记录为25.6MB/s。采用C存储写最低值仅1.14MB/s。入速512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。度更低

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，实测

对比之下，采用C存储写但大文件传输、入速缓存容量降至约58GB。度更低则耗时约12.6小时。实测SLC缓存容量约为250GB。采用C存储写

HOMOLAB测试显示，入速以50GB数据传输为例，度更低在存储使用率达60%时，实测在45MB/s速度下约需19分钟，采用C存储写有观点认为，入速在混合读写测试中，

为弥补这一短板，相比TLC的3位方案，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。无法了解底层存储技术。数据直接写入QLC层，

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，拍照、但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。若速度降至1.1MB/s，

不过QLC的写入速度较慢，但日常使用中多数用户难以感知。适合大容量配置。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。消费者在512GB和1TB之间选择时，在相同物理空间内能存储更多内容，只能看到容量差异，应用安装、

对常规智能手机使用而言，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，这意味着1TB版虽然容量翻倍，当存储使用率达到60%左右，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，尤其在持续高负载场景下表现受限。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。